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                高精簡、低成本60W CoolMos快充方案RM6601SN+RM3410T

                來源:亞成微電子 發布時間:2020-12-17 閱讀次數:

                高精簡、低成本60W CoolMos快充方案RM6601SN+RM3410T

                 

                1.方案介紹

                \

                亞成微基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高精簡低成本60W CoolMos快充方案,具有體積小、效率高(效率Max >93%)、待機功耗低(功耗<60mW)、成本低等特點,采用專有的分段驅動技術,搭配超結MOSFET(COOLMOS)改善EMI設計,降低EMI器件成本,并通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合,實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,有效的提高了產品效率及功率密度,幫助快充電源廠商加速大功率快充量產并節省物料成本。



                2.方案特點

                ■ 輸出規格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3A;

                ■ 效率(Max)>93%,待機功耗<60mW,滿足六級能效標準,EMI特性優良;

                ■ 采用專有的分段驅動技術,搭配超結MOSFET(COOLMOS)改善EMI設計,降低EMI器件成本;

                ■ 支持CCM/QR混合模式;

                ■ 支持最大140KHz工作頻率;

                ■ 內置700V高壓啟動,集成X-CAP放電功能;

                ■ 低啟動電流和低工作電流設計;

                ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

                ■ Burst Mode去噪音;

                ■ 集成斜坡補償及高低壓補償功能;

                ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

                ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

                ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


                3.方案原理圖




                4.方案BOM



                5.待機功耗


                \



                6.能效測試

                5V/3A能效測試

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                9V/3A能效測試

                \


                12V/3A能效測試

                \


                15V/3A能效測試

                \



                20V/3A能效測試

                \


                7.老化及溫升測試



                \


                8.EMI測試


                5V/3A(L)

                \


                5V/3A(N)


                \


                20V/3A(L)

                \


                20V/3A(N)

                \

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