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                大功率GaN快充|QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601ND

                來源:亞成微電子 發布時間:2021-07-23 閱讀次數:

                E-Mode GaN FET直驅QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601ND


                芯片特點
                 

                高效率、大功率

                ■支持CCM/QR混合模式;

                ■支持最大130KHz工作頻率;

                RM6601ND采用專有驅動技術,可直驅 E-mode GaN FET

                 

                超低待機功耗

                ■ 內置700V高壓啟動;

                ■ 集成X-CAP放電功能;

                ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

                ■ 待機功耗<65mW。

                 

                優異的性能

                ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

                ■ Burst Mode去噪音;

                ■ 集成斜坡補償及高低壓功率補償功能;

                ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

                ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

                ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


                原理圖
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                產品圖


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                產品系列


                 

                型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
                RM6601ND SSR+QR 75W SOP-8 外置GaN

                 

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